دیتاشیت SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIRA18DP-T1-GE3
حجم فایل 103.598 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIRA18DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.3W;14.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1000pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10A,10V
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه